cd-sem

2019-08-13 14:41

集成电路设计专业翻译!!!

CMOS采用先进的工艺制造晶体管

运行n沟道和p沟道模块,如轻掺杂漏极和硅化物。掩码集基本上与

相同除S(CMOS150)/ D和接触掩模外,参考工艺的第6英寸。

它可以打印0.4微米器件,S / D值掩模已被修改为整个区域的多晶硅植入物。

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0.0起始晶圆(10):36-63欧姆厘米,p型,“100”,6“

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1.0初始氧化:目标= 25(+ / - 5%)纳米

包括第二天下午蚀刻特性的假人。

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1.1薄层清洁炉管(tystar2)

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1.2标准清洗晶圆sink9(马鞍山末端):

10/1去湿,旋转干燥高频率下降。

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1.3 950°C干燥氧化(2DRYOX):

30分钟。干氧

20分钟。干燥氮气

测量氧化物厚度圆环=

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零层摄影

标准深紫外光刻工艺:

HMDS是(第1项svgcoat6),co at(程序在svgcoat6 2中),

speed = 1480,UV210 - 0.6),软烘烤(130°C关闭),

暴露(ASML,零掩模,30 mJ / cm2),

烘烤(程序1,130 svgdev6 c),

开发(程序在svgdev6 1

硬烘烤:UVBAKE(程序ĵ)

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0.10层蚀刻到基板:

1)蚀刻氧化物lam2 SIO2MON配方。

检查实际蚀刻速率,调整时间。

b)蚀刻lam4

(目标深度= 1200)配方中的硅= 6000,蚀刻时间30秒。

注:其他选项lam4配方6200,六氟化硫= 25秒,氯= 30秒

(配方200和6000合并)

c)大量划线,每个晶圆,包括控制。

在光刻胶灰基质中。

IV)使用asiq测量的深度标记对齐。

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3.0焊盘氧化/氮化物沉积:

目标= 25 + 180 nm硅纳米氮化硅

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3.1薄层清洗炉管(tystar2)。保留tystar9。

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3.2标准sink9清洁晶片

(MEMS与马鞍山,浸入去湿)到25:1的高频率。

包括北华捷宝,PCH控制芯片。

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3.3 1000°C(2DRYOX)干氧化:

21分钟。干氧

15分钟干燥氮气退火。

NCH PCH的测量和氧化物厚度。

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3.4立即沉积180nm氮化硅(9SNITA):

约。时间= 55分钟。 ,温度。 = 800长度

氮化物厚度测量。 (NANOSPEC)。

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4.0 N-well图片:

标准深紫外光刻工艺。

面膜:N-well(暗场)

标准烤箱烘烤(30分钟,120-C)

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5.0氮化物蚀刻:

等离子体蚀刻在lam4中氮化。食谱:200

功率:125 W时间:约85秒。 Overetch:无

选择性:氮化硅:PR = 1:1

测量每个工作晶圆的丝束。 (2个pnts测量)。

不要删除公共关系。考试。

硬烘烤(2小时,120°C)

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6.0 N井种植:包括遗产部。

分裂:晶圆#1-5,遗产部门:磷,1E13 / cm2,150 kV。

晶片#6-10:磷,2E13 / cm2,150kV。

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7.0Nitride删除:

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7.1。在矩阵PR中删除。在sink9微型食人鱼清洁片

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7.2。蚀刻新鲜160荤磷酸沉7(~4小时)

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7.3。将5:1 BHF垫蚀刻至槽7中的氮氧化物直至脱湿。包括华北快递,遗产部。

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8.0焊盘氧化/氮化物沉积:

目标= 25 + 180 nm硅纳米氮化硅

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8.1薄层清洗炉管(tystar2)。保留tystar9。

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清洗硅片的顺序

太阳能晶圆表面等离子清洗工艺

一种硅晶片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,包括以下步骤:首先,进行气体冲洗处理,然后启动气体等离子体。用于去除硅晶片表面上的颗粒的等离子体清洁方法易于控制,彻底清洁,无残留反应物,无毒,成本低,劳动力低,工作效率高。

等离子晶圆清洗条件参数:

1,硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,包括以下步骤:首先进行气体冲洗处理,然后启动气体等离子体;所用气体选自02,Ar中的任何一种;气体冲洗过程的工艺参数设定为:腔室压力10-40 mTorr,工艺气体流量100-500 sccm,时间1-5 s;点火过程的工艺参数设定为:室压1040mTorr,工艺气流100-500sccm,上电极功率250-400W,时间1-10s。 2.根据权利要求1所述的等离子体清洗方法,其特征在于,所述气体为02.3,等离子体清洗方法,其特征在于,所述气体冲洗过程的工艺参数设定为:腔室压力15mTorr,工艺气体流量300sccm,时间3秒;启动过程的过程参数设定为:室压15 mTorr过程气体流速为300sccm,上电极功率为300 W,时间Ss。 4,等离子体清洗方法,其特征在于,将气体冲洗过程的工艺参数设定为:腔室压力10-20mTorr,工艺气体流量100-300sccm,时间1-5s;启动过程的工艺参数设定为:腔室压力为10-20 mTorr,工艺气体流量为100-300 sccm,上部电极功率为250-400 W,时间为1-5秒。 5,等离子体清洗方法,其特征在于,气体冲洗过程的工艺参数设定为:腔室压力15 mTorr,工艺气体流量300 sccm,时间3 s;启动过程的工艺参数设置为:腔室压力15 mTorr,工艺气体流量300sccm,上部电极功率300W,时间Ss

使用说明书

等离子体清洗涉及蚀刻工艺领域,并且在去除蚀刻工艺之后完全满足硅晶片的残留表面的清洁。背景技术

在蚀刻过程中,存在许多颗粒源:诸如Cl2,HBr,CF4等的蚀刻气体是腐蚀性的,并且在蚀刻之后,在硅晶片的表面上产生一定量的颗粒;反应室中的石英盖子在等离子体轰击的作用下也产生石英颗粒;在较长的蚀刻过程中,反应室中的衬里也产生金属颗粒。蚀刻后晶片表面上的残留颗粒会阻碍导电连接并导致器件损坏。因此,在蚀刻过程中控制颗粒是重要的。目前,有两种常用的去除硅晶片表面颗粒的方法:一种是标准清洗(RCA)清洗技术,另一种是用硅晶片清洗机进行微清洗。 RCA清洁技术中使用的大多数清洁设备都是多槽浸入式清洁系统。清洗过程为:1号液体(SC-1)(NH 4 OH + H 2 O 2) - ,稀释的HF(DHF)(HF + H 2 O) - ,2号液体(SC-2)(HCl + H 2 O 2)。其中,SC。 1主要是去除颗粒污染(颗粒),还去除一些金属杂质。颗粒去除的原理如下:硅晶片的表面由H 2 O 2的氧化膜(约6nm,其为亲水的)形成,并且氧化物膜被NH 4 OH腐蚀。腐蚀后反复发生氧气,氧化和腐蚀,并附着在硅上。片材表面上的颗粒也与腐蚀层一起落入清洁溶液中。无论NH 4 OH和H 2 O 2的浓度以及清洁溶液的温度如何,自然氧化膜的厚度约为0.6nm。 SC-2是使用H 2 O 2和HCL的酸性溶液。它具有很强的氧化和络合性能。它可以与未氧化的金属反应形成盐,通过用去离子水洗涤除去盐。氧化金属离子。通过CL-的作用形成的可溶性复合物也通过用去离子水洗涤除去。 RCA清洗技术存在以下缺陷:人工操作,劳动力大,操作环境危险;工艺复杂,清洗时间长,生产效率低;长期浸泡清洗溶剂很容易腐蚀或在硅片上留下水痕,影响器件性能;清洗剂和超净水的消耗量大,生产成本高;去除颗粒的效果好,但去除金属杂质的效果


集成电路设计专业翻译!!!清洗硅片的顺序

海力士半导体制造技术员 tech是什么意思?做什么工作的?

部门职位描述

项目管理

办公室班长管理运营商;提高设备生产效率;工程师和操作员之间的沟通和秩序

改进Eng'r操作文件的说明;减少和解决生产中的事故和问题;提高产品质量,提高产量

工程管理Opr操作员用于检查和分析的机器;提高设备生产力;报告生产中的事故和问题

Engineering DIFF Eng'r估算生产能力;建立/计算投资成本;选择/产品评估/质量改进;提高质量指标和生产效率;减少/防止工程事故/工程问题

工程技术蚀刻英制半导体工程制造工艺;管理设备;提高项目质量;减少开支;生产力

工程技术Photo Eng'r生产线监控,提高生产率,提高产量,编写扫描仪,跟踪,覆盖,CD-SEM作业文件,提高光刻工艺容差,解决工艺问题技术管理光刻网眼和光刻胶,输入设备配方,解决简单的工艺问题

工程技术C&C Eng'r分析产品问题和缺陷,确定缺陷的原因,并决定消除缺陷和提高产品质量的措施,以提高产品产量。

工程技术T / F Eng'r生产产品说明和规格文件;提高项目质量,优化项目,提高产量

人事和社会管理/福利和福利为了有效地运营人力资源,开发各种各样的系统,改进,支援福利人员评价/职位/推进职员评价(表现,能力评价),定期推进的实施,业务的任命

劳动管理/奖励和惩罚/劳动力情报收集/维护劳动和资本平衡,监督任命,奖励/纪律有效运作,提高员工积极性,加强员工基本合规ER经理中国人事管理职责(劳动管理,奖励,纪律,评估,出勤,工资等)

教育/评估管理负责员工入职,技术,在职培训和其他预言培训,设立年度培训计划和预算等。 Eng'r Eng'r Infra系统的自动化,软件应用和AMHS系统开发和性能分析

自动化技术科技Infra系统,软件应用和AMHS系统维护

设备技术DIFF Tech TPM活动;提高设备的工作速度;设备安装和复位;执行FDC和自动化生产操作系统

Eng'r建立/计算投资成本;设备安装和复位;提高设备速度;最大化设备性能和效率

设备技术Photo Eng'r管理和维护设备状况良好,管理备件,PM计划,编写PM表和技术规格,联系设备制造商并参加故障分析会议以消除设备故障Tech执行定期PM,常规设备故障排除,更换备件,记录PM表

C&C技能需要掌握设备装配和拆卸技能,维持设备正常运行时间,消除设备故障并提高产品产量。 Eng'r及时发现设备故障的原因,并找到解决问题的方法,维护和重建设备以提高性能,并提高产品质量。率

设备技术蚀刻技能维护和预防活动;新旧设备的安装和设置;改善和提高设备性能

设备技术T / F技术故障排除;增加机器运行时间

Eng'r改善工具操作时间;降低制造成本;维护设备以提高性能班长,班次,半导体工作经验超过1年,最好是前一工艺,如平版印刷(照片,黄光),湿法和干法蚀刻(蚀刻,蚀刻),扩散(扩散) ,注射(IMP),CVD,PVD(溅射),CMP等,具有团队领导经验者优先考虑。负责管理区域内的操作员工完成生产任务。

作为女性的教育,半导体工作经验超过1年,最好是预处理,如光刻(照片,黄光),湿法和干法蚀刻(蚀刻,蚀刻),扩散(扩散),注射(IMP), CVD,PVD(溅射),CMP等,有团队领导经验,有各种操作证书是首选,有半导体操作教育经验者,韩国人都有

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